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瑞士Innovative Silicon公司日前披露了一種DRAM基礎(chǔ)技術(shù),這種技術(shù)在位單元(bit cell)不再需要存儲電容。

該技術(shù)命名為Z-RAM,采用絕緣硅(SOI)晶體管內(nèi)的浮體效應(yīng)(floating-body effect )作為存儲機(jī)制。據(jù)該公司總裁兼CEO Mark-Eric Jones稱,其結(jié)果是采用標(biāo)準(zhǔn)SoI CMOS邏輯工藝制造的DRAM單元比相同尺寸的溝道電容DRAM單元占據(jù)的面積減少了一半,同時在速度和功率方面比基于電容的DRAM單元有很大的優(yōu)勢。

該公司已經(jīng)演示這種技術(shù)的單元的讀寫時間在3ns以下。該公司正在開發(fā)完全的存儲陣列,用于測試目的。據(jù)Jones稱,該技術(shù)的最初應(yīng)用可能是系統(tǒng)級IC上的嵌入式DRAM。因為Z-RAM位單元不需要改變工藝,在芯片上嵌入大量的Z-RAM不存在本質(zhì)上的成本差異。這樣的存儲器足夠快,可用作多數(shù)嵌入式存儲器上的L2高速緩存和高性能處理器上的L3高速緩存。它還可用于傳統(tǒng)的嵌入式DRAM應(yīng)用,如框架緩存或指令存儲。

Jones表示,溝道電容DRAM日益難于設(shè)計,Innovative期望Z-RAM技術(shù)也將用于獨立的存儲芯片。公司將采用一種IP業(yè)務(wù)模式,為客戶提供物理單元設(shè)計和存儲編譯器的授權(quán)。