發布日期：2022-07-14 點擊率：14
英飛凌科技公司日前推出了面向低成本高性能射頻半導體設備的新型硅鍺碳(Silicon-Germanium Carbon)工藝技術。這種創新硅鍺碳技術是英飛凌最新一代異質結雙極型晶體管(HBT)的基礎。HBT為基于硅晶體的離散晶體管實現了世界上最低的噪音值,在6GHz條件下僅為,同時能在相同條件下實現高達19dB的增益。隨著新的HBT系列產品(BFP740)的推出,英飛凌彌補了現有性能差距,這些特性原來只能通過使用更昂貴的基于砷化鎵(GaAs)的技術來實現。
新型硅鍺碳晶體管適用于多種頻率超過10GHz的射頻和無線應用,如低噪音放大器(LNA)、微波振蕩器以及各種標準的通用放大器,包括全球定位系統(GPS)、無線局域網(, b,g)、WiMAX、無線電話、超寬帶(UWB)、衛星電視LNB(低噪音模塊) 和衛星廣播服務(如XM廣播、Sirius和數字音頻廣播)。
“BFP740系列產品的推出是英飛凌在擴展高性能射頻晶體管產品組合道路上的又一里程碑。這些新型HBT將幫助射頻設計師實現產品性能的顯著提升,同時還可以保留使用傳統SMT封裝設備固有的低價和可生產性等特性。”英飛凌科技公司硅組件部門產品營銷主管Michael Mauer評論道,“通過解決某些前端需求,如低噪音值和高增益,新型射頻晶體管是現在和未來頻率10GHz或以上的無線應用的理想解決方案。”
英飛凌推出的新型射頻晶體管的轉換頻率是42GHz,并能提供目前硅鍺碳市場上能實現的最低噪音值水平: 和/6GHz。憑借28dB/到19dB/6GHz高度的最穩定增益和低電流運行,這些設備是許多射頻和無線應用的理想選擇,例如無線局域網(WLAN)。英飛凌的HBT芯片為實現額外的高可靠性采用了黃金金屬化技術。
硅鍺碳工藝技術
英飛凌硅鍺碳工藝技術獨特之處在于大幅度降低的基極電阻,從而達到世界上基于硅晶體的離散晶體管的最低噪音值。另外,英飛凌還開發了大幅度削減寄生接地電感的新方法。這種獨特的接地概念允許在繼續使用低成本行業標準塑料封裝的情況下,在更高的頻率下獲得高增益值。
BFP740 HBT系列產品正在進行批量生產,并采用標準SOT343(BFP740)、鉛薄板TSFP-4(BFP740F)和超小3針腳無鉛TSLP-3(BFR740L3)封裝。TSLP-3的封裝尺寸只有××。
