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觸摸屏（TP）技術分為電阻式、表面電容式、投射電容式、表面聲波式和紅外線式，其中，電容式觸摸屏廣泛應用于移動設備和消費電子產品。觸摸屏技術方便了人們對計算機的操作使用，是一種極有發展前途的交互式輸入技術，因而受到各國的普遍重視，并投入大量的人力、物力對其進行研發，新型觸摸屏不斷涌現。

摻錫氧化銦（Indium Tin Oxide, 簡稱 ITO）薄膜是一種半導體材料，具有優異的光電特性和導電性，在觸摸屏技術方面得到了廣泛的應用。在電容式觸摸屏玻璃基板表面進行 ITO 濺鍍后，使其成為雙面 ITO 玻璃，不在同一面的 ITO 膜需要通過其四邊邊緣的ITO導線連通，為了降低控制芯片輸入阻抗限制，就必須降低邊緣的ITO電阻，而在 ITO 連通導線上覆蓋一層金屬鎳層用于大大降低其電阻。

化學鍍鎳又稱無電解鍍鎳(EN)，其工藝是美國A.Brenner和G.Riddel于1946年在實驗室研究成功的，已在工業中得到了廣泛的應用。對于一些非金屬材料來說，高溫下材料容易變形，而且高溫下鍍液的穩定性比較差，能耗也較高，所以研究低溫化學鍍鎳具有重要的意義。但是，化學鍍鎳在觸摸屏功能片的ITO 連通導線上應用較少，且存在以下問題。在化學鍍鎳的活化步驟中，現有技術采用PdCl₂作為活化劑，會導致電極與電極之間不需鍍鎳的地方鍍上導電物質,從而鍍鎳效果較差。

發明內容

本發明解決的技術問題在于提供一種在電容式觸摸屏表面進行化學鍍鎳的方法，該方法的鍍鎳效果好。

有鑒于此，本發明提供了一種在電容式觸摸屏表面進行化學鍍鎳的方法，包括以下步驟：

將ITO 薄膜玻璃依次進行脫脂處理和刻蝕處理；

將刻蝕處理后的ITO 薄膜玻璃置于活化劑中進行活化處理，時間為2-4 分鐘，然后水洗2次，每次2分鐘，所述活化劑按照如下方法制備：將PdCl₂、去離子水和濃鹽酸混合，在 50℃下加熱，得到H₂PdCl₄溶液；向所述H₂PdCl₄溶液中加入二亞乙基三胺，在 50℃下保持 4h，蒸除溶劑后得到鈀復合物；將所述鈀復合物溶于N-甲基吡咯烷酮中得到鈀復合物的 NMP 溶液，然后將所述鈀復合物的NMP 溶液與二乙二醇單乙迷、二縮水甘油迷丁烷混合，得到活化劑；

將活化處理得到的ITO 薄膜玻璃進行還原處理，然后將還原后的 ITO 薄膜玻璃放入化學鍍液中進行化學鍍鎳，所述化學鍍液包括以下成分：

NiSO₄·6H₂O 23g/L、Ni(CH₃COO)₂ 6g/L、NaH₂PO₂·H₂O 18g/L、羥基乙酸鈉 20g/L、丁二酸12g/L、去離子水。

優選的，所述脫脂處理為：

將ITO 薄膜玻璃放入1mol/L的堿性液中進行浸漬處理，溫度為50℃，時間為2-4分鐘，然后分別用熱水和冷水清洗各2分鐘，所述堿性液包括以下成分：20g/L的NaHCO₃、16g/L的KOH、20g/L的Na₃PO₄和4g/L的烷基酚聚氧乙烯迷、去離子水。

優選的，所述刻蝕處理為：

將脫脂處理后的ITO 薄膜玻璃放入5mol/L的鹽酸中，時間為3-5分鐘，然后水洗漂洗2次，每次2分鐘。

優選的，所述還原處理為：將活化處理后的 ITO 薄膜玻璃放入還原劑中進行浸漬處理，溫度為50℃，時間為2-4分鐘，然后水洗漂洗2次，每次2分鐘。

優選的，所述還原劑為10g/L的 NaH₂PO₂·H₂O。

優選的，所述化學鍍液的溫度為80℃

優選的，所述化學鍍鎳的時間為5分鐘。

優選的，還包括：

將化學鍍鎳后的ITO 薄膜玻璃洗滌、烘干。

優選的，還包括：

將化學鍍鎳后的ITO 薄膜玻璃置于150℃的烤箱中烘烤。

優選的，所述烘烤的時間為30分鐘。

本發明提供了一種在電容式觸摸屏表面進行化學鍍鎳的方法，包括以下步驟：將ITO 薄膜玻璃依次進行脫脂處理、刻蝕處理、活化處理、還原處理和化學鍍鎳，活化處理采用的活化劑按照如下方法制備：將PdCl₂、去離子水和濃鹽酸混合，在 50℃下加熱，得到H₂PdCl₄溶液；向所述H₂PdCl₄溶液中加入二亞乙基三胺，在 50℃下保持 4h，蒸除溶劑后得到鈀復合物；將所述鈀復合物溶于N-甲基吡咯烷酮中得到鈀復合物的 NMP 溶液，然后將鈀復合物的NMP 溶液與二乙二醇單乙迷、二縮水甘油迷丁烷混合，得到活化劑。與現有技術相比，本發明通過采用上述方法制備的活化劑進行活化，避免了在化學鍍鎳步驟中電極與電極之間不需鍍鎳處被鍍上導電物質，從而保證了具有良好的鍍鎳效果。

具體實施方式

為了進一步理解本發明，下面結合實施例對本發明優選實施方案進行描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本發明的特征和優點，而不是對本發明權利要求的限制。

本發明實施例公開了一種在電容式觸摸屏表面進行化學鍍鎳的方法，包括以下步驟：

將ITO 薄膜玻璃依次進行脫脂處理和刻蝕處理；

將刻蝕處理后的ITO 薄膜玻璃置于活化劑中進行活化處理，時間為2-4 分鐘，然后水洗2次，每次2分鐘，所述活化劑按照如下方法制備：將PdCl₂、去離子水和濃鹽酸混合，在 50℃下加熱，得到H₂PdCl₄溶液；向所述H₂PdCl₄溶液中加入二亞乙基三胺，在 50℃下保持 4h，蒸除溶劑后得到鈀復合物；將所述鈀復合物溶于N-甲基吡咯烷酮中得到鈀復合物的 NMP 溶液，然后將所述鈀復合物的NMP 溶液與二乙二醇單乙迷、二縮水甘油迷丁烷混合，得到活化劑；

將活化處理得到的ITO 薄膜玻璃進行還原處理，然后將還原后的 ITO 薄膜玻璃放入化學鍍液中進行化學鍍鎳，所述化學鍍液包括以下成分：

NiSO₄·6H₂O 23g/L、Ni(CH₃COO)₂ 6g/L、NaH₂PO₂·H₂O 18g/L、羥基乙酸鈉 20g/L、丁二酸12g/L、去離子水。

作為優選方案，所述脫脂處理具體為：將ITO 薄膜玻璃放入1mol/L的堿性液中進行浸漬處理，溫度為50℃，時間為2-4分鐘，然后分別用熱水和冷水清洗各2分鐘，所述堿性液包括以下成分：20g/L的NaHCO₃、16g/L的KOH、20g/L的Na₃PO₄和4g/L的烷基酚聚氧乙烯迷（OP乳化劑）、去離子水。更優選的，在堿性液浸漬處理的時間為3分鐘。

脫脂處理完成后，對ITO 薄膜玻璃進行刻蝕處理，所述刻蝕處理優選為：將脫脂處理后的ITO 薄膜玻璃放入5mol/L的鹽酸中，時間為3-5分鐘，然后水洗漂洗2次，每次2分鐘。優選的，所述刻蝕的時間優選為4分鐘。本發明通過刻蝕處理，使得ITO 表面細微粗化，提高鍍層的密著性，

作為優選方案，將刻蝕處理后的ITO 薄膜玻璃置于活化劑中進行活化處理的時間為3分鐘。本發明以PdCl₂、去離子水和濃鹽酸的原料制備H₂PdCl₄溶液，然后加入二亞乙基三胺形成鈀復合物，溶于N-甲基吡咯烷酮中得到鈀復合物的 NMP 溶液，最后與二乙二醇單乙迷、二縮水甘油醚丁烷混合，得到活化劑。利用本發明制備的活化劑進行火化后，在ITO 薄膜玻璃基體的ITO 連通導線上吸附一定量的活化中心，從而誘發隨后的化學鍍鎳反應。通過采用上述方法制備的活化劑進行活化，避免了在化學鍍鎳步驟中電極與電極之間不需鍍鎳出被鍍上導電物質，從而保證了具有良好的鍍鎳效果。

活化處理完成后，將活化處理得到的ITO 薄膜玻璃進行還原處理。作為優選方案，所述還原處理具體為：將活化處理后的 ITO 薄膜玻璃放入還原劑中進行浸漬處理，溫度為50℃，時間為2-4分鐘，然后水洗漂洗2次，每次2分鐘。更優選的，在還原劑中浸漬處理的時間為3分鐘；所述還原劑優選為10g/L的 NaH₂PO₂·H₂O。

然后將還原后的 ITO 薄膜玻璃放入化學鍍液中進行化學鍍鎳，優選的，所述化學鍍液的溫度為80℃，所述化學鍍鎳的時間為5分鐘。本發明還優選包括：將化學鍍鎳后的ITO 薄膜玻璃洗滌、烘干。上述洗滌步驟具體為：水洗2次，每次2分鐘。