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        一、MB 芯片
　　定義：metal Bonding （金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品。
　　特點(diǎn)：
　　1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底、散熱容易。
　　2：通過(guò)金屬層來(lái)接合（wafer bonding）磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。
　　3: 導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力（導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍），更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。
　　4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
　　5: 尺寸可加大、應(yīng)用于High power 領(lǐng)域、eg : 42mil MB
　　二、GB芯片
　　定義：Glue Bonding （粘著結(jié)合）芯片；該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品
　　特點(diǎn)：
　　1：透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS （Absorbable STructure）芯片的2倍以上、藍(lán)寶石襯底類(lèi)似TS芯片的GaP襯底。
　　2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern
　　3：亮度方面、其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水準(zhǔn)（8.6mil）
　　4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
　　三、TS芯片
　　定義：transparent structure（透明襯底）芯片、該芯片屬于HP 的專(zhuān)利產(chǎn)品。
　　特點(diǎn)：
　　1：芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于AS LED
　　2：信賴(lài)性卓越
　　3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
　　4：應(yīng)用廣泛
　　四、AS芯片
　　定義：Absorbable structure （吸收襯底）芯片；
　　經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力、臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類(lèi)型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷(xiāo)售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準(zhǔn)、差距不大。
　　大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
　　特點(diǎn)：
　　1：四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
　　2：信賴(lài)性?xún)?yōu)良
　　3：應(yīng)用廣泛

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