2008年10月30日 — 全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司（納斯達克全球精選市場交易代碼：ISIL）今天宣布，推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅(qū)動器，為英特爾 VR11.1系統(tǒng)提供業(yè)界最高的輕負(fù)載效率。
ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有的吸收能力，以及快速上升/下降時間，支持高達1MHz的開關(guān)頻率。這將有助于實現(xiàn)非常高的總體效率。
ISL6622結(jié)合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N溝道MOSFET，其先進PWM協(xié)議可為先進微處理器提供完整的內(nèi)核電壓穩(wěn)壓器解決方案。
ISL6622有助于實現(xiàn)提高輕負(fù)載效率所需PSI模式期間的二極管仿真操作，并通過電感器電流為零時的檢測實現(xiàn)非連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）。當(dāng)檢測到“零”時，低側(cè)MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以防止出現(xiàn)吸收電流并消除伴隨反向電流的功率損失。Intersil的柵極電壓優(yōu)化技術(shù)（GVOT）還可用于PSI模式；通過降低柵極驅(qū)動電壓，可以顯著降低控制輕負(fù)載條件下總功耗損失的開關(guān)損耗。這增加了ISL6622提供的總效率。
這些PWM控制器還具有自適應(yīng)擊穿保護功能，以防止高低側(cè)MOSFET的同時導(dǎo)通。此外，這些控制器還集成了一個20kΩ的高側(cè)柵極至源極電阻器，以防止由于高輸入總線差動電壓引起的自導(dǎo)通。
與VCC同時操作的過壓保護可以降至POR閾值：PHASE節(jié)點可通過一個10kΩ電阻器連接至低側(cè)MOSFET（LGATE）的柵極，以使轉(zhuǎn)換器的輸出電壓保持接近低側(cè)MOSFET柵極閾值。這種能力可以防止出現(xiàn)負(fù)載高側(cè)MOSFET短路的情形。
該驅(qū)動器采用具有不同驅(qū)動電壓的兩種封裝類型。ISL6622采用8引線SOIC封裝，可在正常PWM模式期間將高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動至VCC；在PSI模式時將低側(cè)柵極降至固定 V典型值。ISL采用10引線DFN封裝，通過UVCC引腳可以將高側(cè)柵極驅(qū)動到5V至12V；低側(cè)柵極有一個可選的電阻器，可以在PSI模式下驅(qū)動V、和的典型電壓。
今天推出的新系列MOSFET驅(qū)動器適用于采用英特爾處理器構(gòu)建的各種服務(wù)器、工作站、臺式機和游戲主板應(yīng)用。同時，它們也是VRM應(yīng)用的理想設(shè)計方案。
關(guān)于Intersil 電源管理產(chǎn)品系列
Intersil 公司是一家全球公認(rèn)的電源管理解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，提供可簡化各種電源設(shè)計的豐富的產(chǎn)品組合。Intersil公司的電源管理IC系列涉及的范圍極廣，從諸如電荷泵等構(gòu)建模塊到高度集成、多輸出和多相位PWM產(chǎn)品，以及四路電壓熱交換控制器。作為超過20億片出貨量的PWM 控制器 IC 領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商，Intersil公司可滿足包括計算、通信、外設(shè)、顯示、網(wǎng)絡(luò)、電信、工業(yè)、儀器儀表和電池供電產(chǎn)品在內(nèi)的多種應(yīng)用的電源管理需求。
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關(guān)于Intersil
Intersil公司是設(shè)計和制造高性能模擬半導(dǎo)體元件的領(lǐng)先廠商。公司的產(chǎn)品可以滿足多個業(yè)界增長最快的市場，如平板顯示器、移動電話、其他手持設(shè)備和筆記本電腦。Intersil的產(chǎn)品系列具有電源管理功能和模擬信號處理功能，這些產(chǎn)品包括用于電池管理的IC、熱交換和熱插拔控制器、線性穩(wěn)壓器、電源排序器、監(jiān)控IC、橋式驅(qū)動器、PWM控制器、開關(guān)型DC/DC穩(wěn)壓器和功率MOSFET驅(qū)動器；以及光存儲激光二極管驅(qū)動器、DSL線路驅(qū)動器、視頻和高性能運算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口IC、模擬開關(guān)和多路復(fù)用器、交叉點開關(guān)、VoIP器件；此外還有軍事、航天和抗輻射應(yīng)用的專用IC。
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