當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)已對所有行業(yè)產(chǎn)生了影響，而且有望到2020年成為一個1.7萬億美元的市場。IoT領(lǐng)域建立在云計算以及由移動、虛擬和即時連接搭建的數(shù)據(jù)采集傳感器網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)之上。行業(yè)專家認(rèn)為，它將讓我們生活中的一切變得更加“智能”。IoT已經(jīng)滲透至各行各業(yè)：從工廠自動化到點(diǎn)播娛樂和可穿戴設(shè)備。但在大多數(shù)情況下，這個龐大的智能設(shè)備互聯(lián)系統(tǒng)在改變我們的工作方式方面還未充分發(fā)揮其全部潛能。
IoT無疑是推動半導(dǎo)體行業(yè)和嵌入式系統(tǒng)發(fā)展的新動力。它的誕生推升了市場對眾多新使能技術(shù)的需求，其中包括：
● 新一代超低功耗IC
● 全新的無線通信協(xié)議
● 分析及云計算用高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)
隨著芯片朝著更小尺寸的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，此前相對不引人注目而現(xiàn)在變得愈發(fā)顯眼的一個半導(dǎo)體細(xì)分市場就是存儲器。物聯(lián)網(wǎng)及其艾字節(jié)數(shù)量級的數(shù)據(jù)流量正在推升市場對高性能、低功耗、超小封裝的存儲器的需求。IoT對半導(dǎo)體-尤其是存儲器的-強(qiáng)加的另一個約束就是安全性和可靠性要求。大量隱私信息將被存儲在可穿戴設(shè)備、服務(wù)器和其它物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)上。
過去十年來，存儲器領(lǐng)域被分為兩個截然不同的產(chǎn)品家族：即快速和低功耗存儲器，每個都有其自身的特性、應(yīng)用和定價。只要愿意犧牲功耗甚至尺寸，OEM就能找到高速度性能的存儲器產(chǎn)品。對于需要低功耗的易失性和非易失性存儲器而言，反之亦然。
但是， IoT 改變了市場對存儲器的要求。現(xiàn)在的需求是高性能、低功耗器件。這些器件被要求能夠使用便攜式電源執(zhí)行復(fù)雜的運(yùn)算。它們還必需盡量縮減引腳數(shù)量和外形尺寸。通過內(nèi)置深度關(guān)機(jī)、深度睡眠等低功耗模式，同時提供一代高于一代的性能(即時鐘頻率和特性集)，微控制器已可以滿足這些要求。為了與微控制器保持同步，存儲器一定不能讓設(shè)計人員擔(dān)憂性能和功耗之間的取舍。
本文將聚焦于存儲器在已受IoT影響的一個領(lǐng)域―零售購物領(lǐng)域中的發(fā)展趨勢。在借助IoT給消費(fèi)者帶來便利方面，這個2萬億美元的市場蘊(yùn)含著巨大潛力。零售是世界上競爭最為激烈的行業(yè)之一，數(shù)百萬個零售商爭奪一個成熟客戶群，因此利潤率很低。大型商場已經(jīng)開始利用物聯(lián)網(wǎng)吸引客戶，為他們提供個性化購物體驗(yàn)。零售商正在整合商場中的所有設(shè)備、公司總部云端資源。最終目標(biāo)是一個互聯(lián)商場，它能夠利用所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行促銷、打造客戶忠誠度、管理庫存和提升運(yùn)營效率。
當(dāng)今的消費(fèi)者正在廣泛使用互聯(lián)網(wǎng)影響他們的購物決策：從研究產(chǎn)品到網(wǎng)上購物再到評論產(chǎn)品。在利用互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行購物方面，零售商已經(jīng)落后于消費(fèi)者。為了跟上消費(fèi)者的步伐，零售商正在關(guān)聯(lián)零售的物理和在線層面，從而讓每一次互動都有回報，以便讓他們的商場變得更加“智能”。
智能POS終端
IoT已給零售領(lǐng)域帶來的一個顯著影響就是智能銷售點(diǎn)(POS)終端。POS終端在某種意義上就是零售商使用IoT的中心節(jié)點(diǎn)。很多領(lǐng)先的“智能”商場利用POS數(shù)據(jù)了解客戶的購物趨勢，實(shí)時追蹤庫存，并幫助在線購物者準(zhǔn)確確定產(chǎn)品的本地存貨情況。它們還能幫助零售商根據(jù)客戶購買特定物品的頻率為他們提供定制建議。
為了追蹤購物者的購物統(tǒng)計數(shù)據(jù)，智能POS終端需要連接掃描儀。這意味著智能POS終端必須處理數(shù)倍于傳統(tǒng)POS終端所處理的數(shù)據(jù)。很多最新型號的智能POS終端采用了主頻達(dá)到Ghz級別的最新的ARM處理器。與此同時，這些終端大多是由電池供電的便攜式設(shè)備，換句話說，這些系統(tǒng)需要盡可能地少用電。此外，由于所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是高度個人化的數(shù)據(jù)，因此要求最高級別的數(shù)據(jù)完整性，即需要使用比傳統(tǒng)終端更為嚴(yán)格的加密標(biāo)準(zhǔn)。最后，還要采用所有POS終端都采用的標(biāo)準(zhǔn)的故障安全技術(shù)(如lockout模式)。
POS終端采用多種類型的存儲器：用于非易失性數(shù)據(jù)存儲的閃存，用于高速緩存的DRAM，以及用于微控制器存儲擴(kuò)展和電池備份配置數(shù)據(jù)日志的SRAM。有時甚至?xí)褂靡粋€外置的MMC。圖1顯示了一個典型POS終端設(shè)計的框圖，為了滿足智能POS終端的要求，存儲器應(yīng)提供最高的可靠性和足夠的帶寬。不僅如此，為了滿足便攜要求，存儲器還必須具備低功耗、小尺寸的特點(diǎn)。
過去，存儲器的發(fā)展一直試圖結(jié)合快速的存取速度、低功耗和小尺寸特性。但是，隨著Octi-SPI、HyperBus?等新一代低引腳數(shù)接口的問世，現(xiàn)在出現(xiàn)了能夠媲美甚至超過快速存取式存儲器的帶寬，同時匹敵低功耗存儲器的功耗，并使用最低數(shù)量的微控制器引腳的存儲器。從微控制器傳承到SRAM等存儲器的另一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)就是引入了深度睡眠模式。例如，賽普拉斯的PowerSnooze? SRAM就是一種深度睡眠能效媲美Micropower SRAM的Fast SRAM。
圖1. 這是現(xiàn)代POS終端的框圖。所使用的存儲器包括閃存、SRAM、DRAM和SD/MMC插槽。
讓我們比較一下兩種常用SRAM-Fast和Micropower，以及具備深度睡眠模式的Fast SRAM的功耗和存取時間。
通過結(jié)合快速存取和深度睡眠特性，這些存儲器能夠媲美SRAM的速度和低功耗SRAM的能效。在SRAM在大多數(shù)時間處于待機(jī)狀態(tài)的應(yīng)用中，這種結(jié)合的優(yōu)勢更加顯著。
在使用SRAM記錄配置數(shù)據(jù)的一個典型POS終端中，SRAM的運(yùn)行時間只占總工作時間的20%。如果這個SRAM是工作電壓為的Fast SRAM，它工作時將消耗120瓦時(WH)的電能，待機(jī)時將消耗80 WH的電能，總能耗為200 WH。如果是一個具備深度睡眠模式的Fast SRAM，工作時仍消耗120 WH的電能，但待機(jī)時能耗降至 WH，因此總能耗約為121 WH。在這個具體的例子中，深度睡眠選項(xiàng)將能耗降低了40%。
對于一顆240mAH的板載紐扣電池而言，一個處于待機(jī)狀態(tài)的16Mb Fast SRAM將能讓電池續(xù)航超過12小時，而一個處于待機(jī)狀態(tài)的低功耗SRAM將能讓電池續(xù)航超過3年，但后者的局限是存儲速度較慢。此時，一個具備深度睡眠模式的Fast SRAM與低功耗SRAM相比優(yōu)勢顯著，其帶寬是后者的4倍多(即10ns存取時間vs. 45ns存取時間)，而且沒有功耗代價。盡管如此，無論是MCU或SRAM，使用深度睡眠模式時應(yīng)考慮一個因素：進(jìn)入和退出深度睡眠模式的時間。如果兩個工作周期之間的時間間隔與SRAM進(jìn)入或退出深度睡眠模式所用時間相比太短，那么這種方法將會無用。例如，對于賽普拉斯出品的具備深度睡眠模式的Fast SRAM而言，這個時間間隔是300 μs(最大)。這可能是推廣具備深度睡眠模式的Fast SRAM的最大障礙。
存儲器領(lǐng)域的另一個有趣趨勢是：隨著閃存變得越來越快，對高速緩存的需求正在發(fā)生改變。 很多需要RAM的微控制器工藝現(xiàn)在可以利用XIP(Execute In Place)在閃存上實(shí)現(xiàn)。這意味著RAM越來越多被用于擴(kuò)展內(nèi)存或電池系統(tǒng)備份。與此同時，已被運(yùn)用于這兩種應(yīng)用的SRAM正在增加容量選擇。換句話說，傳統(tǒng)上首選的DRAM正變得越來越不重要，因?yàn)榫拖袢萘扛蟆⑺俣雀臁⒐母偷拈W存可以滿足大型存儲的需求那樣，容量更高、功耗更低、尺寸更小的SRAM也可以滿足小型存儲的需求。
其它組件
用于構(gòu)筑智能購物體驗(yàn)的還有很多其它組件：各種類型的傳感器、電子貨架標(biāo)簽及信標(biāo)、存儲設(shè)備以及用于處理所采集數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理終端。在一篇文章中探討所有這些設(shè)備的應(yīng)用和內(nèi)存需求難度很大。我計劃在近期探討這些設(shè)備的內(nèi)存需求。但是，基本的要求不變，即低功耗、高速、小尺寸和高可靠性。
您可以閱讀Power Saving SRAM，進(jìn)一步了解具備深度睡眠模式的SRAM。或訪問Programmer's Guide to HyperFlash Memories，獲取更多兼容HyperFlash 內(nèi)存的設(shè)計系統(tǒng)的相關(guān)信息。
