發布日期：2022-10-09 點擊率：71
(1) 正向特性
當V＞0，即處于正向特性區域。正向區又分為兩段：
當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。
當V＞Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。
硅二極管的死區電壓Vth=0.5 V左右，
鍺二極管的死區電壓Vth=0.1 V左右。
(2) 反向特性
當V＜0時，即處于反向特性區域。反向區也分兩個區域：
當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。
當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。
在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。
圖 伏安特性
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