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1．半導(dǎo)體存儲芯片的根柢構(gòu)造

半導(dǎo)體存儲芯片選用超大計(jì)劃集成電路制作技能，經(jīng)過地址總線、數(shù)據(jù)總線和操控總線與外部聯(lián)接。地址線是單向輸入，數(shù)據(jù)線是雙向輸入輸出，數(shù)據(jù)線和地址的位數(shù)一同反映存儲芯片的容量。

操控線首要有讀/寫操控線與片選線兩種。一般主存由多個(gè)存儲芯片構(gòu)成，讀/寫操控線挑選芯片進(jìn)行讀/寫操作，片選線用來挑選存儲芯片，如圖所示。

圖 64K×8位的存儲器

2．半導(dǎo)體存儲芯片的分類
依據(jù)存儲器運(yùn)用的紛歧樣，能夠分為只讀存儲器（ROM）和隨機(jī)存取存儲器（RAM）。
（1）RAM隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory）
CPU依據(jù)RAM的地址將數(shù)據(jù)隨機(jī)的寫入或讀出，電源堵截后，所存數(shù)據(jù)悉數(shù)扔掉。依照集成電路內(nèi)部構(gòu)造紛歧樣，RAM又分為SRAM（靜態(tài)RAM，Static RAM）和DRAM（動態(tài)RAM，Dynamic RAM）兩類
（2）ROM只讀存儲器（Read only Memory）
ROM存儲器將程序及數(shù)據(jù)固化在芯片中，數(shù)據(jù)只能讀出不能寫入，電源關(guān)掉，數(shù)據(jù)也不會扔掉。ROM按集成電路的內(nèi)部構(gòu)造能夠分為EPROM可擦除、可編程（Erasable PROM）和EEPROM電可擦除可編程（Electrically Erasable PROM）。
（3）Flash存儲器
Flash存儲器可在幾秒鐘的時(shí)刻內(nèi)結(jié)束全片的擦除，它的最大利益是集成度高、報(bào)價(jià)便宜，不需求脫機(jī)擦寫、可在線編程，AT89S52單片機(jī)的程序存儲器選用的是Flash存儲器。