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碳膜電位器

模數(shù)轉(zhuǎn)換器如何選擇?這些指標(biāo)的影響一定要get!

發(fā)布日期:2022-04-26 點(diǎn)擊率:44

站長(zhǎng)統(tǒng)計(jì)

【導(dǎo)讀】在選擇器件時(shí),我們常常會(huì)對(duì)DATASHEET上的技術(shù)指標(biāo)有所取舍,畢竟不是每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都對(duì)自己想要實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)目標(biāo)造成影響,而對(duì)于ADC來說,信噪比(SNR),毫無疑問是人們重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象。


在選擇器件時(shí),我們常常會(huì)對(duì)DATASHEET上的技術(shù)指標(biāo)有所取舍,畢竟不是每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都對(duì)自己想要實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)目標(biāo)造成影響,而對(duì)于ADC來說,信噪比(SNR),毫無疑問是人們重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象。

 

那么除了信噪比之外,其他的技術(shù)指標(biāo)對(duì)于我們的系統(tǒng)來說又會(huì)產(chǎn)生哪些影響呢?

 

01.分辨率

分辨率,可能是最易被誤解的技術(shù)指標(biāo),它表示輸出位數(shù),但不提供性能數(shù)據(jù)。部分?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)會(huì)列出有效位數(shù)(ENOB),它使用實(shí)際SNR測(cè)量來計(jì)算轉(zhuǎn)換器的有效性。一種更加有用的轉(zhuǎn)換器性能指標(biāo)是噪聲頻譜密度(NSD),單位為dBm/Hz或HznV。NSD可以通過已知的采樣速率、輸入范圍、SNR和輸入阻抗計(jì)算得出(dBm/Hz)。已知這些參數(shù),便可選擇一款轉(zhuǎn)換器來匹配前端電路的模擬性能,這種選擇ADC的方法比僅僅列出分辨率更有效。

 

許多用戶還會(huì)考慮雜散和諧波性能,這些都與分辨率無關(guān),但轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員一般要調(diào)整他們的設(shè)計(jì),使諧波與分辨率相一致。

 

02.電源抑制(PSR)

電源抑制(PSR)測(cè)量電源紋波如何與ADC輸入耦合,顯現(xiàn)在其數(shù)字輸出上。如果PSR有限,相對(duì)于輸入電平,電源線上的噪聲將僅會(huì)受到30至50 dB的抑制。

 

一般而言,電源上的無用信號(hào)與轉(zhuǎn)換器的輸入范圍相關(guān)。例如,如果電源上的噪聲是20 mV rms ,而轉(zhuǎn)換器輸入范圍是0.7 Vrms,,則輸入上的噪聲是–31 dBFS。如果轉(zhuǎn)換器的PSR為 30 dB,則相干噪聲會(huì)在輸出中顯現(xiàn)為一條–61 dBFS譜線。在確定電源將需要多少濾波和去耦時(shí),PSR尤其有用,PSR在醫(yī)療應(yīng)用或工業(yè)應(yīng)用等高噪聲環(huán)境中非常重要。

 

模數(shù)轉(zhuǎn)換器如何選擇?這些指標(biāo)的影響一定要get!

圖1.電源紋波抑制比(PSRR)vs.頻率

 

03.共模抑制(CMR)

共模抑制(CMR)測(cè)量共模信號(hào)存在時(shí)所引起的差模信號(hào)。許多ADC采用差分輸入來實(shí)現(xiàn)對(duì)共模信號(hào)的高抗擾度,因?yàn)椴罘州斎虢Y(jié)構(gòu)本身能抑制偶數(shù)階失真產(chǎn)物。

 

與PSR一樣,電源紋波、接地層上產(chǎn)生的高功率信號(hào)、混頻器和RF濾波器的RF泄漏以及能夠產(chǎn)生高電場(chǎng)和磁場(chǎng)的應(yīng)用會(huì)引入共模信號(hào),雖然許多轉(zhuǎn)換器未規(guī)定CMR,但他們通常具有50至80 dB的CMR。

 

04.時(shí)鐘相關(guān)技術(shù)指標(biāo)

時(shí)鐘相關(guān)技術(shù)指標(biāo),盡管比較重要,但并不總是作出規(guī)定,而且可能難以確定。

 

模數(shù)轉(zhuǎn)換器如何選擇?這些指標(biāo)的影響一定要get!

圖2. 輸入時(shí)鐘與采樣噪聲的關(guān)系 

 

05.時(shí)鐘壓擺率

時(shí)鐘壓擺率是實(shí)現(xiàn)額定性能所需的最小壓擺率。多數(shù)轉(zhuǎn)換器在時(shí)鐘緩沖器上有足夠的增益,以確保采樣時(shí)刻界定明確,但如果壓擺率過低使得采樣時(shí)刻很不確定,將產(chǎn)生過量噪聲。如果規(guī)定最小輸入壓擺率,用戶應(yīng)滿足該要求,以確保額定噪聲性能。

 

06.孔徑抖動(dòng)

孔徑抖動(dòng)是ADC的內(nèi)部時(shí)鐘不確定性。ADC的噪聲性能受內(nèi)部和外部時(shí)鐘抖動(dòng)限制。

 

在典型的數(shù)據(jù)手冊(cè)中,孔徑抖動(dòng)僅限轉(zhuǎn)換器。外部孔徑抖動(dòng)以均方根方式與內(nèi)部孔徑抖動(dòng)相加。對(duì)于低頻應(yīng)用,抖動(dòng)可能并不重要,但隨著模擬頻率的增加,由抖動(dòng)引起的噪聲問題變得越來越明顯。如果不使用充足的時(shí)鐘,性能將比預(yù)期要差。

 

除由于時(shí)鐘抖動(dòng)而增加的噪聲以外,時(shí)鐘信號(hào)中與時(shí)鐘不存在諧波關(guān)系的譜線也將顯現(xiàn)為數(shù)字化輸出的失真。因此,時(shí)鐘信號(hào)應(yīng)具有盡可能高的頻譜純度。

 

孔徑延遲是采樣信號(hào)的應(yīng)用與實(shí)際進(jìn)行輸入信號(hào)采樣的時(shí)刻之間的時(shí)間延遲。此時(shí)間通常為納秒或更小,可能為正、為負(fù)或甚至為零。除非知道精確的采樣時(shí)刻非常重要,否則孔徑延遲并不重要。

 

07.轉(zhuǎn)換時(shí)間和轉(zhuǎn)換延遲

轉(zhuǎn)換時(shí)間和轉(zhuǎn)換延遲是兩個(gè)密切相關(guān)的技術(shù)指標(biāo)。轉(zhuǎn)換時(shí)間一般適用于逐次逼近型轉(zhuǎn)換器(SAR),這類轉(zhuǎn)換器使用高時(shí)鐘速率處理輸入信號(hào),輸入信號(hào)出現(xiàn)在輸出上的時(shí)間明顯晚于轉(zhuǎn)換命令,但早于下一個(gè)轉(zhuǎn)換命令。轉(zhuǎn)換命令與轉(zhuǎn)換完成之間的時(shí)間稱為轉(zhuǎn)換時(shí)間。

 

轉(zhuǎn)換延遲通常適用于流水線式轉(zhuǎn)換器。作為測(cè)量用于產(chǎn)生數(shù)字輸出的流水線(內(nèi)部數(shù)字級(jí))數(shù)目的技術(shù)指標(biāo),轉(zhuǎn)換延遲通常用流水線延遲來規(guī)定。通過將此數(shù)目乘以應(yīng)用中使用的采樣周期,可計(jì)算實(shí)際轉(zhuǎn)換時(shí)間。

 

08.喚醒時(shí)間

喚醒時(shí)間,為了降低功耗敏感型應(yīng)用的功耗,器件通常在相對(duì)不用期間關(guān)斷,這樣做確實(shí)可以節(jié)省大量功耗,但器件重新啟動(dòng)時(shí),內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源的穩(wěn)定以及內(nèi)部時(shí)鐘的功能恢復(fù)都需要一定的時(shí)間,此時(shí)轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)將不滿足技術(shù)指標(biāo)。

 

09.輸出負(fù)載

輸出負(fù)載,同所有數(shù)字輸出器件一樣,ADC,尤其是CMOS輸出器件,規(guī)定輸出驅(qū)動(dòng)能力。出于可靠性的原因,知道輸出驅(qū)動(dòng)能力比較重要,但最佳性能一般是在未達(dá)到完全驅(qū)動(dòng)能力時(shí)。

 

在高性能應(yīng)用中,重要的是,將輸出負(fù)載降至最低,并提供適當(dāng)?shù)娜ヱ詈蛢?yōu)化布局,以盡可能降低電源上的壓降。為了避免此類問題發(fā)生,許多轉(zhuǎn)換器都提供LVDS輸出。LVDS具有對(duì)稱性,因此可以降低開關(guān)電流并提高總體性能。如果可以,應(yīng)該使用LVDS輸出以確保最佳性能。

 

10.未規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)

未規(guī)定標(biāo)準(zhǔn),一個(gè)至關(guān)重要的未規(guī)定項(xiàng)目是PCB布局。雖然可規(guī)定內(nèi)容的不多,但它會(huì)顯著影響轉(zhuǎn)換器的性能。例如,如果應(yīng)用未能采用充足的去耦電容,就會(huì)存在過多的電源噪聲。由于PSR有限,電源上的噪聲會(huì)耦合到模擬輸入中,并破壞數(shù)字輸出頻譜,如圖3所示。

 

模數(shù)轉(zhuǎn)換器如何選擇?這些指標(biāo)的影響一定要get!

圖3a. 電容與性能

 

模數(shù)轉(zhuǎn)換器如何選擇?這些指標(biāo)的影響一定要get!

圖3b. 有限電容與性能

 

 

 

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