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　　  相關(guān)媒體從中國科學(xué)院金屬研究所獲悉，該所研究員馬秀良研究團隊與合作者在鐵電材料中發(fā)現(xiàn)通量全閉合疇結(jié)構(gòu)，或讓鐵電材料實現(xiàn)超高密度信息存儲。

　　鐵電材料是指在外加電場的作用下，其電極化方向可以發(fā)生改變的一類材料，如鈦酸鉛、鈦酸鋇等材料。鐵電存儲器具有功耗小、讀寫速度快、壽命長與抗輻照能力強等優(yōu)點，但是不能做到非常小的存儲單元，很難達到高密度存儲的需求。

　　馬秀良研究團隊提出一種克服鐵電材料自發(fā)應(yīng)變，通過引入外加應(yīng)變來克服鐵電材料自身的晶格畸變。

　　“晶格畸變就是指晶格的變形。”馬秀良說，晶體是有明確衍射圖案的固體，其原子在晶體中排列規(guī)律的空間格架叫做晶格。

　　基于上述設(shè)計思想，研究團隊利用脈沖激光沉積方法，在鈧酸鹽襯底上制備出一系列不同厚度的鈦酸鉛鐵電多層薄膜，利用具有原子尺度分辨能力的像差校正電子顯微術(shù)，不僅發(fā)現(xiàn)通量全閉合疇結(jié)構(gòu)及其新奇的原子構(gòu)型圖譜，而且觀察到由順時針和逆時針閉合結(jié)構(gòu)交替排列所構(gòu)成的大尺度周期性陣列。在此基礎(chǔ)上，他們揭示出周期性閉合結(jié)構(gòu)的形成規(guī)律。

　　中國科學(xué)院院士葉恒強認(rèn)為：“在鐵電材料中發(fā)現(xiàn)全閉合疇結(jié)構(gòu)以及相關(guān)疇陣列，在兩方面體現(xiàn)了在前沿領(lǐng)域的突破。其一是多鐵材料的通量全閉合結(jié)構(gòu)，可能帶來高密度的信息存儲功能，而且這種存儲耗能低，是解決超高集成度微電子芯片高耗能的潛在途徑。這種閉合結(jié)構(gòu)的實驗發(fā)現(xiàn)，意義重大。其二是這類結(jié)構(gòu)是用具有亞埃分辨能力的像差校正電子顯微術(shù)以直觀的形式呈現(xiàn)出來的，開拓了人們的視野，是科學(xué)家認(rèn)識自然規(guī)律的有力表征手段。”