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      目前磁性傳感器在汽車領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng)，各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個(gè)同時(shí)掌握磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。

磁性傳感器廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代汽車中，如速度檢測(cè)，角度檢測(cè)，位置檢測(cè)，電流檢測(cè)等。根據(jù)磁性感應(yīng)原理，可分為霍爾原理及磁阻原理。其中磁阻式根據(jù)原理又可分為常磁阻效應(yīng)（Ordinary Magneto Resistance, OMR）、各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、巨磁阻效應(yīng)（Giant Magneto Resistance，GMR）、超巨磁阻效應(yīng)（Colossal Magneto Resistance，CMR）、穿遂磁阻效應(yīng)（Tunnel Magneto Resistance，TMR）、巨磁阻抗效應(yīng)（Giant Magneto impedance，GMI）以及特異磁阻效應(yīng)（Extraordinary Magneto Resistance，EMR）等。

目前磁性傳感器在汽車領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng)，各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個(gè)同時(shí)掌握有以上磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。

相比于霍爾效應(yīng)和各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)具有更好的靈敏度,更小的噪聲以及氣隙表現(xiàn),非常適合汽車領(lǐng)域中需要高精度以及較大工作氣隙要求的應(yīng)用。目前英飛凌巨磁阻系列傳感器涵蓋速度及角度應(yīng)用，本文主要介紹巨磁阻傳感器原理及其在速度檢測(cè)和角度檢測(cè)方面應(yīng)用。

集成巨磁阻原理

所謂磁阻效應(yīng)是指導(dǎo)體或半導(dǎo)體在磁場(chǎng)作用下其電阻值發(fā)生變化的現(xiàn)象，巨磁阻效應(yīng)在1988年由彼得?格林貝格（Peter Grünberg）和艾爾伯?費(fèi)爾（Albert Fert）分別獨(dú)立發(fā)現(xiàn)，他們因此共同獲得2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。研究發(fā)現(xiàn)在磁性多層膜如Fe/Cr和Co/Cu中，鐵磁性層被納米級(jí)厚度的非磁性材料分隔開(kāi)來(lái)。在特定條件下，電阻率減小的幅度相當(dāng)大，比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻值約高10余倍，這一現(xiàn)象稱為“巨磁阻效應(yīng)”。

巨磁阻效應(yīng)可以用量子力學(xué)解釋,每一個(gè)電子都能夠自旋,電子的散射率取決于自旋方向和磁性材料的磁化方向。自旋方向和磁性材料磁化方向相同，則電子散射率就低，穿過(guò)磁性層的電子就多，從而呈現(xiàn)低阻抗。反之當(dāng)自旋方向和磁性材料磁化方向相反時(shí)，電子散射率高，因而穿過(guò)磁性層的電子較少，此時(shí)呈現(xiàn)高阻抗。

如圖1所示，兩側(cè)藍(lán)色層代表磁性材料薄膜層，中間橘色層代表非磁性材料薄膜層。綠色箭頭代表磁性材料磁化方向，灰色箭頭代表電子自旋方向，黑色箭頭代表電子散射。左圖表示兩層磁性材料磁化方向相同，當(dāng)一束自旋方向與磁性材料磁化方向都相同的電子通過(guò)時(shí)，電子較容易通過(guò)兩層磁性材料，因而呈現(xiàn)低阻抗。而右圖表示兩層磁性材料磁化方向相反，當(dāng)一束自旋方向與第一層磁性材料磁化方向相同的電子通過(guò)時(shí)，電子較容易通過(guò)，但較難通過(guò)第二層磁化方向與電子自旋方向相反的磁性材料，因而呈現(xiàn)高阻抗。

圖1:巨磁阻效應(yīng)示意圖

基于巨磁阻效應(yīng)的傳感器其感應(yīng)材料主要有三層：即參考層（Reference Layer或Pinned Layer），普通層（Normal Layer）和自由層（Free Layer）。參考層具有固定磁化方向，其磁化方向不會(huì)受到外界磁場(chǎng)方向影響。普通層為非磁性材料薄膜層，將兩層磁性材料薄膜層分隔開(kāi)。自由層磁場(chǎng)方會(huì)隨著外界平行磁場(chǎng)方向的改變而改變。

圖2：巨磁阻磁性感應(yīng)層結(jié)構(gòu)

巨磁阻阻值由自由層和參考層之間磁場(chǎng)方向夾角決定，其電阻變化率如式2-1所示：

GMR傳感器應(yīng)用

如上文所說(shuō),巨磁阻電阻值取決于自由層和參考層之間磁場(chǎng)方向夾角，自由層磁化方向會(huì)隨著外界磁場(chǎng)方向改變而改變。巨磁阻傳感器磁場(chǎng)工作區(qū)間如圖3所示，當(dāng)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)|BK|時(shí)巨磁阻傳感器工作在飽和區(qū)，此時(shí)自由層和參考層磁化方向平行，進(jìn)一步增加外界磁場(chǎng)強(qiáng)度不會(huì)導(dǎo)致電阻值變化。當(dāng)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍在- BK <b< bk時(shí)，巨磁阻傳感器工作在線性區(qū)間，此時(shí)電阻線性變化。