開關(guān)電源電路開發(fā)設(shè)計秘籍大全
來源：與非網(wǎng) 作者：佚名2014年09月23日 11:22
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[導(dǎo)讀] 歡迎來到電源設(shè)計小秘笈！ 隨著現(xiàn)在對更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，本文就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年還是剛剛步入電源領(lǐng)域，您都可以在這里找到一些極其有用的信息，以幫助您迎接下一個設(shè)計挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵詞：開關(guān)電源MOSFET
歡迎來到電源設(shè)計小秘笈！ 隨著現(xiàn)在對更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，本文就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年還是剛剛步入電源領(lǐng)域，您都可以在這里找到一些極其有用的信息，以幫助您迎接下一個設(shè)計挑戰(zhàn)。
秘笈一 為您的電源選擇正確的工作頻率
為您的電源選擇最佳的工作頻率是一個復(fù)雜的權(quán)衡過程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常來說，低頻率設(shè)計往往是最為高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。雖然調(diào)高頻率可以縮小尺寸并降低成本，但會增加電路損耗。接下來，我們使用一款簡單的降壓電源來描述這些權(quán)衡過程。
我們以濾波器組件作為開始。這些組件占據(jù)了電源體積的大部分，同時濾波器的尺寸同工作頻率成反比關(guān)系。另一方面，每一次開關(guān)轉(zhuǎn)換都會伴有能量損耗；工作頻率越高，開關(guān)損耗就越高，同時效率也就越低。其次，較高的頻率運(yùn)行通常意味著可以使用較小的組件值。因此，更高頻率運(yùn)行能夠帶來極大的成本節(jié)約。
圖1.1顯示的是降壓電源頻率與體積的關(guān)系。頻率為100 kHz時，電感占據(jù)了電源體積的大部分（深藍(lán)色區(qū)域）。如果我們假設(shè)電感體積與其能量相關(guān)，那么其體積縮小將與頻率成正比例關(guān)系。由于某種頻率下電感的磁芯損耗會極大增高并限制尺寸的進(jìn)一步縮小，因此在此情況下上述假設(shè)就不容樂觀了。如果該設(shè)計使用陶瓷電容，那么輸出電容體積（褐色區(qū)域）便會隨頻率縮小，即所需電容降低。另一方面，之所以通常會選用輸入電容，是因為其具有紋波電流額定值。該額定值不會隨頻率而明顯變化，因此其體積（黃色區(qū)域）往往可以保持恒定。另外，電源的半導(dǎo)體部分不會隨頻率而變化。這樣，由于低頻開關(guān)，無源器件會占據(jù)電源體積的大部分。當(dāng)我們轉(zhuǎn)到高工作頻率時，半導(dǎo)體（即半導(dǎo)體體積，淡藍(lán)色區(qū)域）開始占據(jù)較大的空間比例。
圖1.1 電源組件體積主要由半導(dǎo)體占據(jù)
該曲線圖顯示半導(dǎo)體體積本質(zhì)上并未隨頻率而變化，而這一關(guān)系可能過于簡單化。與半導(dǎo)體相關(guān)的損耗主要有兩類：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。同步降壓轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)損耗與 MOSFET 的裸片面積成反比關(guān)系。 MOSFET 面積越大， 其電阻和傳導(dǎo)損耗就越低。
開關(guān)損耗與MOSFET 開關(guān)的速度以及MOSFET 具有多少輸入和輸出電容有關(guān)。這些都與器件尺寸的大小相關(guān)。大體積器件具有較慢的開關(guān)速度以及更多的電容。圖1.2 顯示了兩種不同工作頻率 （F） 的關(guān)系。傳導(dǎo)損耗 （Pcon） 與工作頻率無關(guān)， 而開關(guān)損耗 （Psw F1 和Psw F2） 與工作頻率成正比例關(guān)系。 因此更高的工作頻率 （PswF2） 會產(chǎn)生更高的開關(guān)損耗。當(dāng)開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗相等時，每種工作頻率的總損耗最低。另外，隨著工作頻率提高，總損耗將更高。
但是， 在更高的工作頻率下， 最佳裸片面積較小， 從而帶來成本節(jié)約。 實際上，在低頻率下，通過調(diào)整裸片面積來最小化損耗會帶來極高成本的設(shè)計。但是，轉(zhuǎn)到更高工作頻率后， 我們就可以優(yōu)化裸片面積來降低損耗， 從而縮小電源的半導(dǎo)體體積。這樣做的缺點是，如果我們不改進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，那么電源效率將會降低。
圖1.2 提高工作頻率會導(dǎo)致更高的總體損耗
如前所述，更高的工作頻率可縮小電感體積；所需的內(nèi)層芯板會減少。更高頻率還可降低對于輸出電容的要求。有了陶瓷電容，我們就可以使用更低的電容值或更少的電容。這有助于縮小半導(dǎo)體裸片面積，進(jìn)而降低成本。
秘笈二 駕馭噪聲電源
無噪聲電源并非是偶然設(shè)計出來的。一種好的電源布局是在設(shè)計時最大程度的縮短實驗時間。花費(fèi)數(shù)分鐘甚至是數(shù)小時的時間來仔細(xì)查看電源布局，便可以省去數(shù)天的故障排查時間。
圖2.1顯示的是電源內(nèi)部一些主要噪聲敏感型電路的結(jié)構(gòu)圖。 將輸出電壓與一個參考電壓進(jìn)行比較以生成一個誤差信號，然后再將該信號與一個斜坡相比較，以生成一個用于驅(qū)動功率級的 PWM（脈寬調(diào)制）信號。
電源噪聲主要來自三個地方：誤差放大器輸入與輸出、參考電壓以及斜坡。對這些節(jié)點進(jìn)行精心的電氣設(shè)計和物理設(shè)計有助于最大程度地縮短故障診斷時間。一般而言，噪聲會與這些低電平電路電容耦合。一種卓越的設(shè)計可以確保這些低電平電路的緊密布局，并遠(yuǎn)離所有開關(guān)波形。接地層也具有屏蔽作用。
圖 2.1 低電平控制電路的諸多噪聲形成機(jī)會
誤差放大器輸入端可能是電源中最為敏感的節(jié)點，因為其通常具有最多的連接組件。如果將其與該級的極高增益和高阻抗相結(jié)合，后患無窮。在布局過程中，您必須最小化節(jié)點長度，并盡可能近地將反饋和輸入組件靠近誤差放大器放置。如果反饋網(wǎng)絡(luò)中存在高頻積分電容，那么您必須將其靠近放大器放置，其他反饋組件緊跟其后。 并且， 串聯(lián)電阻-電容也可能形成補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。 最理想的結(jié)果是， 將電阻靠近誤差放大器輸入端放置， 這樣， 如果高頻信號注入該電阻-電容節(jié)點時， 那么該高頻信號就不得不承受較高的電阻阻抗—而電容對高頻信號的阻抗則很小。
斜坡是另一個潛在的會帶來噪聲問題的地方。斜坡通常由電容器充電（電壓模式）生成，或由來自于電源開關(guān)電流的采樣（電流模式）生成。通常，電壓模式斜坡并不是一個問題， 因為電容對高頻注入信號的阻抗很小。 而電流斜坡卻較為棘手，因為存在了上升邊沿峰值、相對較小的斜坡振幅以及功率級寄生效應(yīng)。
圖2.2顯示了電流斜坡存在的一些問題。 第一幅圖顯示了上升邊沿峰值和隨后產(chǎn)生的電流斜坡。比較器（根據(jù)其不同速度）具有兩個電壓結(jié)點 （potential trippoints），結(jié)果是無序控制運(yùn)行，聽起來更像是煎熏肉的聲音。利用控制IC中的上升邊沿消隱可以很好地解決這一問題，其忽略了電流波形的最初部分。波形的高頻濾波也有助于解決該問題。同樣也要將電容器盡可能近地靠近控制IC放置。 正如這兩種波形表現(xiàn)出來的那樣， 另一種常見的問題是次諧波振蕩。
這種寬－窄驅(qū)動波形表現(xiàn)為非充分斜率補(bǔ)償。向當(dāng)前斜坡增加更多的電壓斜坡便可以解決該問題。
圖2.2 兩種常見的電流模式噪聲問題
盡管您已經(jīng)相當(dāng)仔細(xì)地設(shè)計了電源布局，但是您的原型電源還是存在噪聲。這該怎么辦呢？首先，您要確定消除不穩(wěn)定因素的環(huán)路響應(yīng)不存在問題。有趣的是，噪聲問題可能會看起來像是電源交叉頻率上的不穩(wěn)定。但真正的情況是該環(huán)路正以其最快響應(yīng)速度糾出注入誤差。同樣，最佳方法是識別出噪聲正被注入下列三個地方之一：誤差放大器、參考電壓或斜坡。您只需分步解決便可！
第一步是檢查節(jié)點，看斜坡中是否存在明顯的非線性，或者誤差放大器輸出中是否存在高頻率變化。如果檢查后沒有發(fā)現(xiàn)任何問題，那么就將誤差放大器從電路中取出， 并用一個清潔的電壓源加以代替。 這樣您應(yīng)該就能夠改變該電壓源的輸出，以平穩(wěn)地改變電源輸出。如果這樣做奏效的話，那么您就已經(jīng)將問題范圍縮小至參考電壓和誤差放大器了。
有時，控制IC中的參考電壓易受開關(guān)波形的影響。利用添加更多（或適當(dāng)）的旁路可能會使這種狀況得到改善。另外，使用柵極驅(qū)動電阻來減緩開關(guān)波形也可能會有助于解決這一問題。如果問題出在誤差放大器上，那么降低補(bǔ)償組件阻抗會有
所幫助，因為這樣降低了注入信號的振幅。如果所有這些方法都不奏效，那么就從印刷電路板將誤差放大器節(jié)點去除。對補(bǔ)償組件進(jìn)行架空布線 （air wiring） 可以幫助我們識別出哪里有問題。
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