环球电气之家-午夜精彩视频-中国专业电气电子产品行业服务网站！

碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技術(shù)，與硅相比，它具有卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和減小系統(tǒng)大小。

1200V 等級(jí)
最大 RDS （接通） = 110mΩ Ω （ Vgs = 20V 時(shí)）、 ID = 20A
高速開(kāi)關(guān)和低電容
器件不含鉛
應(yīng)用
PFC
OBC
最終產(chǎn)品
用于 EV/PHEV 的汽車(chē)直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
汽車(chē)車(chē)載充電器
汽車(chē)輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)