on ON Semiconductor 系列 150V n 通道 mv mosfet 采用 Advanced 工藝生產、并采用屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
vgs 時最大 rds （接通） = 11.5 m m m m m 、 10V id 為 35A
低傳導損耗
vgs 時最大 rds （接通）為 13.2mohm 、 id 為 18A 8V
qrr 比其他 mosfet 供應商低 50%
降低切換噪聲 /emi
MSL1 堅固封裝設計
100% uil 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | PQFN8 5x6 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 13.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
