增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.8 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 360 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 6.7mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V |
| 寬度 | 3.7mm |
