采用緊湊纖薄封裝，體積小
低漏-源通態電阻：RDS（接通）= 3.7 mΩ（典型值）
低泄漏電流：IDSS = ?10 μA（最大值）(VDS = ?30 V)
增強型模式
Vth = ?0.8 至 ?2.0 V（VDS = ?10 V，ID = ?0.5 mA）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 34 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6.7 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -25 V，+20 V |
| 寬度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 115 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 6mm |
