Microchip TN5325 系列低閾值增強型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。
最大 2V 的低閾值
高輸入阻抗和高增益
上升時間為 15 ns
關閉延時時間為 25 ns
下降時間為 25 ns
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 150 mA |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | TO-92 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 晶體管材料 | 硅 |
