on ON Semiconductor 業功率 mosfet 采用 3.3x3.3mm 扁平引線封裝，設計緊湊高效，改善傳導損耗。
低 rds （接通）可有效減少傳導
低電容、有效減少驅動器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 37.2 a |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | WDFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.022. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
