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onsemi FQPF13N06L MOSFET

訂貨號：FQPF13N06L 品牌：Onsemi/安森美

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QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。通過使用先進的 QFET? 工藝技術，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	10 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	TO-220F
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	110 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	24 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
長度	10.16mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
寬度	4.7mm
典型柵極電荷@Vgs	4.8 nC @ 5 V

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