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Microchip DN3135K1-G MOSFET

訂貨號(hào)：DN3135K1-G 品牌：Microchip

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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Supertex N 通道耗盡型 MOSFET 晶體管

Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗盡型 DMOS FET 晶體管適用于要求高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和切換速度快的應(yīng)用。

特點(diǎn)

高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無(wú)次級(jí)擊穿
低輸入和輸出泄漏

典型應(yīng)用

常開開關(guān)
固態(tài)繼電器
轉(zhuǎn)換器
線性放大器
恒定電流源
電源電路
電信

DN3135 是一款低閾值耗盡型（常開）晶體管，采用先進(jìn)的垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無(wú)次級(jí)擊穿
低輸入和輸出泄漏

MOSFET 晶體管，Microchip

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	72 mA
最大漏源電壓	350 V
封裝類型	SOT
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	35 Ω
通道模式	消耗
最大功率耗散	360 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-3.5 V
每片芯片元件數(shù)目	1
長(zhǎng)度	3.04mm
最高工作溫度	+150 °C
寬度	1.4mm

暫無(wú)

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