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訂 貨 號(hào):NVMFD6H840NLT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。
體積小巧 (5x6 mm)
緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFS5C410NLWF ? 可潤(rùn)側(cè)翼選件
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
開(kāi)關(guān)電源
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 74 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 8.8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 3.1 W |
晶體管配置 | 雙路 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 5.1mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 32 nC @ 10 V |
長(zhǎng)度 | 6.1mm |