此新一代 MOSFET 具有低接通電阻和快速切換的特性，使其特別適用于高效率電源管理應用。
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅固的端應用
低 RDS（接通）- 可最大程度減少功率損耗
低 QG - 可最大程度減少切換損耗
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
電源管理功能
直流 - 直流轉換器
背光
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 32.9（狀態）A，41.2（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | TO-252 (DPAK) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.2mm |
| 長度 | 6.7mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21.4 nC @ 10V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
