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Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 N 溝道， HVMDIP-4 封裝是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，漏極源電壓為 200V ，最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 800mohm 的漏 - 源電阻。MOSFET 的最大功耗為 1W。 此產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?動(dòng)態(tài) dV/dt 額定值
?易于并聯(lián)
? 端部可堆疊
?快速切換
?用于自動(dòng)插入
?無(wú)鉛 (Pb) 組件
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?重復(fù)耐雪崩等級(jí)
?簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)器要求

應(yīng)用

?電池充電器
? 變頻器
? 電源
?開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)