Vishay n 溝道 30 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak 1212-15v 8S 封裝類型。
trenchet gen v 功率 mosfet
極低 rds x qg 品質因數（ fom ）
具有極低 rds （接通）和熱性、可實現更高的功率密度 增強型緊湊型封裝
經過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 162 a |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | Powerpak 1212-1e 8S |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00095 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 1 → 2.2V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
