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Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，柵極源電壓為 10V 時(shí)漏 - 源電阻為 42mohm。它的最大柵極源電壓為 20V ，漏極源電壓為 30V。MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。它具有 5A 的連續(xù)漏極電流和 1.7W 的最大功耗。 MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開關(guān)
?筆記本電腦適配器開關(guān)
? 電源管理

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
?經(jīng)過 RG 測試