Vishay f 系列快速主體二極管的功率 mosfet 采用 D2PAK (圖 263 )封裝類型。
4th e 系列技術(shù)
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( co ( er ))
減少切換和傳導損耗
雪崩能量等級( uis )
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8.4 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.168. Ω |
最大柵閾值電壓 | 3 → 5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |