Infineon 60V , N 溝道, 10.2 兆歐汽車 MOSFET 采用 OptiMOS 5 技術(shù),適用于 60V MOSFET ,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) S3O8 5 mm x 6 mm 小尺寸封裝,具有領(lǐng)先的性能,可提供低 RDSon , QG 和柵極電容,并最大程度減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
用于汽車應(yīng)用的 OptiMOS 功率 MOSFET
N 通道,增強(qiáng)模式,正常級別
認(rèn)證范圍超過 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
增強(qiáng)型電氣測試
堅固的設(shè)計
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
經(jīng)過 100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 47 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | TDSON |
安裝類型 | 表面貼裝 |