P 通道 150V (D-S) MOSFET 。
具有 ThunderFET 技術(shù)的 TrenchFET ?
極低的 RDS (on) 可最大限度地減少傳導(dǎo)造成的功率損耗
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 16.2 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | PowerPak 1212-S |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 65.8 瓦 |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 3.3mm |
長度 | 3.3mm |
典型柵極電荷@Vgs | 14.6 nC @ 10 V |