Infineon 20V 的一系列 40V － 0.6m? n 通道汽車認可功率 mosfet ，采用最新的最佳 mosfet 技術，并采用多種封裝，可滿足各種需求，并實現低至 Optimos5 40V μ m 的 rds （接通）。新的最佳 mosfet 技術可實現低傳導損耗 （同類最佳的 rdson 性能）、低切換損耗（改進的切換行為）、改進的二極管恢復和 emc 行為。此 mosfet 技術采用最先進的創新封裝、以實現最佳的產品性能和質量。為了實現終極設計靈活性、汽車合格的高電阻器提供各種封裝、以滿足各種需求。Infineon 為客戶提供了電流容量、切換行為、可靠性、封裝尺寸和整體質量等方面的穩定改進。新開發的集成半橋是一種創新且經濟高效的封裝解決方案、適用于電動機驅動和主體應用。
雙 n 通道邏輯電平 - 增強模式
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | PG-TDSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0072 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 16V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
