N 通道 60V (D-S) MOSFET
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對最低的 RDS X QOSS FOM 進行了調整
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 52 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PowerPAK 1212 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 11 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 39 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長度 | 3.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 3.15mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19.8 nC @ 10 V |
