Infineon 100V 功率 mosfet 特別適用于電信模塊的同步整流、包括 or-ing 、熱插拔和電池保護(hù)、以及服務(wù)器電源應(yīng)用。與類似設(shè)備相比、該設(shè)備的 rds (接通)更低、達(dá) 22% 、是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 fom 的最大貢獻(xiàn)之一、它具有低通態(tài)電阻、可提供最高水平的功率密度和效率。
通過 100% 雪崩測試
符合用于目標(biāo)應(yīng)用的符合 dec 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | Pg - TO263 - 7 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 7 |
最大漏源電阻值 | 0.0024 o |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |