DiodesZetex 制造新一代雙 N 通道增強模式 MOSFET，它設計用于最大程度地減少接通狀態電阻 （RDS（ON）），同時保持出色的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。它是一種綠色設備，完全無鉛、鹵素和抗鋅。此 MOSFET 采用 U-DFN2030-6 封裝。它提供快速切換和高效率。工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C。它提供低輸入電容和快速切換速度。
最大排放到源電壓為 20 V，最大門到源電壓為 ±16 V，它提供低接通電阻和低門臨界電壓 ESD 保護門
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 9 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | U-DFN2030-6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.028 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.1V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
