E 系列功率 MOSFET 。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (CISS)
減少切換和傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.9 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.9 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 62.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
典型柵極電荷@Vgs | 7 常開 @10 伏 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 6.73mm |
寬度 | 6.22mm |