Infineon P7 超結（ sj ） mosfet 設計出色的性能和易用性、可改善外形和價格競爭力、從而應對低功率開關電源市場的典型挑戰。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產品、還可在某些設計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使 P7 它在型式、采用型、為其目標應用提供了完美的安裝。700V 和 800V cool mos P7 經優化可用于回飛拓撲。600V cool mos P7 sj mosfet 適用于硬切換拓撲（ fly back 、 pfc 和 llc ）和開關拓撲。
易于使用、通過低振鈴趨勢進行快速設計 和用法
?跨 pfc 和 pwm 級
由于低切換和傳導、簡化了熱管理
?損失
通過使用產品 swith 實現更高的功率密度解決方案
?>采用 2kVESD 、體積更小、制造質量更高
?保護
適用于各種應用和功率范圍
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-SOT223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.6 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 4 |
