此新一代 MOSFET 具有低接通電阻和快速切換的特性，使其特別適用于高效率電源管理應用。
100% 非鉗制電感切換 - 可確保更可靠
和堅固的端應用
高轉換率
低 RDS （接通）- 可最大程度減少通態損耗
低輸入電容
快速切換速度
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
同步整流器
直流 - 直流轉換器
初級側切換
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 43.7（狀態）A，54.7（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 30.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 78 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 28.6 nC @ 10V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 6mm |
