the Infineon coolmos 是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術、它根據超接線（ sj ）原理設計、由 Infineon 技術開創。coolmos P6 系列將領先的 sj mosfet 供應商的經驗與高級創新相結合。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優點、同時不會降低易用性。極低的切換和傳導損耗使切換應用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。
mosfet dv/dt 穩定增加
易于使用 / 驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 19.2 a |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | Pg/vson -4 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.21 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
