Vishay 半導體 SQ2361ES-T1_GE3 是 3 引腳， 60 V ， 2。8 A ，表面安裝汽車 P 通道 MOSFET。
TrenchFET? 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 2.8 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 320 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | -1.5V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 9 nC @ 10 V |
| 長度 | 3.04mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 1.4mm |
