Infineon ex場 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 200V 、采用 direct場 效應管 mz 封裝、額定電流為 19 安培、經優化具有低接通電阻。此數字音頻 mosfet 專門設計用于 d 類音頻放大器應用。此 mosfet 利用最新的處理技術實現每個硅區域的低接通電阻。此外、柵極電荷、主體二極管反向恢復和內部柵極電阻經過優化、可提高效率、總諧波和 emi 等關鍵 d 類音頻放大器性能因素。IRF6785MPbF 設備采用 direct東帝汶 封裝技術。與傳統的線粘結型封裝相比、 direct東帝汶 封裝技術可提供更低的寄生電感和電阻。
最新 mosfet 硅技術
關鍵參數針對 d 類音頻放大器應用進行了優化
兼容雙面冷卻
無鉛（最高 260°c 回流）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 19 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | Direct東帝汶 信托基金 (m) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.1 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
