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訂 貨 號(hào):SiSF20DN-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
共漏極雙 N 通道 60V (S1-S2) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
電阻極低的源到源
采用緊湊且熱增強(qiáng)型封裝的集成共漏極 N 通道 MOSFET
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 52 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PowerPak 1212 – SCD |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 18 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 69.4 W |
晶體管配置 | 共漏極 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 22 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 3.4mm |
長度 | 3.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |