英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道 MOSFET 具有 80 V 漏源電壓（VDS）和 73 A 漏電流（ID）。與前一代相比，導通電阻 Rds(ON) 減少 43%，特別適用于高切換頻率、調節器等。專為電信和服務器電源的同步整流設計。此外，還可用于其他工業應用，如太陽能、低電壓驅動器和適配器。
特別適用于高頻切換和同步錄音
優化技術，用于直流/直流轉換器
極佳的柵極充電 x 接通電阻產品（FOM）
非常低的接通電阻
100% 雪崩測試
N 溝道，正常電平
針對目標應用，符合 JEDEC1
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準
擴展的源互連，提高焊接接頭可靠性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 73 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PG-TDSON |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
