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訂 貨 號(hào):SiSS02DN-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
特點(diǎn)
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
在緊湊型熱增強(qiáng)封裝中
實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)
經(jīng)優(yōu)化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了
與切換相關(guān)的功耗
應(yīng)用
同步整流
同步降壓轉(zhuǎn)換器
高功率密度直流/直流
OR-ing
負(fù)載開關(guān)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 80 A |
最大漏源電壓 | 25 V |
封裝類型 | 1212 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 1 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 2.2V |
最大功率耗散 | 65.7 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -12 V、+16 V |
長(zhǎng)度 | 3.15mm |
典型柵極電荷@Vgs | 55 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 3.15mm |