精品久久久久久久,97精品国产97久久久久久久久久久久,亚洲熟区

分類：: 工業(yè)電氣產(chǎn)品工業(yè)控制產(chǎn)品傳感測(cè)量產(chǎn)品儀表工具產(chǎn)品工業(yè)電子產(chǎn)品機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

當(dāng)前位置：首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

onsemi FDD850N10LD MOSFET

訂貨號(hào)：FDD850N10LD 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球價(jià)：登陸后可查看

暫無報(bào)價(jià)

立即購買加入購物車立即詢價(jià) 我要報(bào)價(jià)

公司基本資料信息

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
替代產(chǎn)品

PowerTrench? N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	15.3 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	5
最大漏源電阻值	96 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	42 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+150 °C
長度	6.73mm
典型柵極電荷@Vgs	22.2 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	6.22mm
晶體管材料	Si

暫無

正在載入評(píng)論詳細(xì)...

环球电气之家-午夜精彩视频-中国专业电气电子产品行业服务网站！

工業(yè)電氣產(chǎn)品

工業(yè)控制產(chǎn)品

傳感測(cè)量產(chǎn)品

儀表工具產(chǎn)品

工業(yè)電子產(chǎn)品

機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

onsemi FDD850N10LD MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

PowerTrench? N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

新手指南

業(yè)務(wù)合作

物流配送

支付方式

售后服務(wù)

關(guān)于我們