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SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問題，更易于設(shè)計(jì)實(shí)施。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷（典型 Qg = 18 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 173 pF）
優(yōu)化的電容
內(nèi)部柵極電阻：1 Ω
典型 RDS（接通）= 310 m?
優(yōu)點(diǎn)：
低溫運(yùn)行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用：
計(jì)算
消費(fèi)品
工業(yè)
最終產(chǎn)品：
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務(wù)器
LCD/LED 電視
LED 照明/鎮(zhèn)流器
適配器