the Infineon coolmos ? P7 超結（ sj ） mosfet 設計可提供出色的性能和易用性，從而改善外形和價格競爭力，從而應對低功率開關電源市場的典型挑戰。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產品、還可在某些設計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使采用了第 223-223 封裝的 coolmos ? P7 特別適用于其目標應用。
啟用較低的 mosfet 芯片溫度
與以前的技術相比、效率更高
允許改進外形和細長型設計
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 3 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2000 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
