Infineon coolsic ? 1200 v 、 350 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封裝，基于最先進的 trench 半導體工藝，經過優化可將性能與可靠性相結合。與基于硅（ si ）的傳統開關（如溝器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列優勢。這些包括 1200 v 開關中可見的最低柵極電荷和設備電容水平、內部防換向主體二極管無反向恢復損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態特性。
同類最佳的開關和傳導損耗
基準高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅動
寬柵 - 源電壓范圍
堅固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨立關閉開關損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4.7 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | PG-TO247-3 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 350 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
