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訂 貨 號(hào):RD3G500GNTL 品牌:羅姆_ROHM
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
RD3G500GN 是低接通電阻 MOSFET,適用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
低接通電阻
高功率封裝 (TO-252)
無(wú)鉛引線電鍍
無(wú)鹵素
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 50 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類(lèi)型 | TO-252 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 2 + Tab |
最大漏源電阻值 | 6.3 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 35 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 6.4mm |
長(zhǎng)度 | 6.8mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |