此 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻（RDS（接通））并保持卓越的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。
印刷電路板印跡為 4mm2
低接通電阻
低輸入電容
薄型，0.6mm 最大高度
ESD 保護門
完全無鉛
無鹵素和銻
AIO ，臺式 PC ，數碼相機，塢站， xDSL 調制解調器， DVD/Blu-Ray ， GPS ，顯示器，筆記本電腦， STB ， VoIP ， Wi-Fi/ 藍牙模塊，電視
負載開關
電源管理功能
便攜式電源適配器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 3.5 （ P 通道） A ， 6 （ N 通道） A |
| 最大漏源電壓 | 20 （ N 通道） V ， 20 （ P 通道） V |
| 封裝類型 | U-DFN2020 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 35 (N Channel) mΩ, 140 (P Channel) mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.35 (P Channel) V, 0.5 (N Channel) V |
| 最小柵閾值電壓 | 1 (N Channel) V, 1.4 (P Channel) V |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 晶體管配置 | 雙路 |
| 最大柵源電壓 | 10 （ N 通道） V ， 8 （ P 通道） V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 2.07mm |
| 長度 | 2.07mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12.3 （ N 通道） NC ， 15 （ P 通道） NC |
