設計用于盡量減少功率轉換的損耗，同時保持極佳的切換性能
高性能通道技術，RDS（接通）極低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管
應用：同步整流直流-直流轉換器、電動機驅動器、網絡負載點低側開關
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A，16 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | Power 33 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 7.5 mΩ, 12.4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 1.9 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、-12 V、+12 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V |
| 長度 | 3mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 3mm |
