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Infineon IPD100N04S402ATMA1 MOSFET

訂貨號：IPD100N04S402ATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

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Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管，可減少 CO2 并采用電力驅動。新的 OptiMOS? -T2 產品系列擴展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 產品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節(jié)標準的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強模式
AEC 合格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產品（符合 RoHS 標準）

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	100 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	150 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	6.73mm
寬度	6.22mm
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	91 nC @ 10 V

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