N 通道功率 MOSFET 專門設計用于線性操作。這些設備具有擴展的正向偏置安全工作區域 (FBSOA)，可提高堅固性和可靠性。
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 17 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-264 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 990 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最大功率耗散 | 700W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 270 nC @ 15 V |
| 長度 | 19.96mm |
| 寬度 | 5.13mm |
